گرافن و گاف انرژی
بخشی از گزارش در زیر آمده است
پس از ساخته شدن گرافن در آزمایشگاه در سال ۲۰۰۴ به خاطر رفتار الکترونیکی جذاب این سیستم دو بعدي، مانند تحركپذیري بالاي حاملهاي بار، تحقیقات زیادي بر روي این ماده انجام شده است. گرافن یک نیمرسانا با گاف صفر است. گرافن یک نیمرسانا با گاف صفر است. براي استفاده از گرافن در قطعات فوتونیکی و الکترونیکی مانند ترانزیستورهاي اثر میدانی نیاز به ایجاد گاف انرژي در نوار انرژي آن است، زیرا گاف انرژي براي کنترل خواص الکتریکی در قطعات الکترونیکی بسیار ضروري است. روشهاي مختلفی براي ایجاد گاف در گرافن وجود دارد مانند اعمال میدان الکتریکی و کرنش تک محوري، استفاده از زیرلایه مناسب، اضافه کردن ناخالصیهاي شیمیایی یا تغییر ساختار گرافن.
فرکانس‌های پلاسمون‌های سطحی گرافن به سطح آلایش دارند که آن‌ها را قابل تنظیم با تزریق از طریق گیت حامل‌های بار می‌کند. بر مبنای مدل از ساختار نواری گرافن، فواصل بین اتمی، مقادیر پرش، و فرکانس به هنگام محاسبه‌ی رسانندگی اپتیکی با استفاده از معادلات فرنل در حد لایه‌های نازک از بین می‌رود.
لطفاً براي ارسال دیدگاه، ابتدا وارد حساب كاربري خود بشويد